ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320D-3DBLI-TR

KEY Part #: K938097

IS43DR16320D-3DBLI-TR Цены (доллары США) [19211шт сток]

1 pcs$2.85382
2,500 pcs$2.83962

номер части:: IS43DR16320D-3DBLI-TR

производитель:: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Подробное описание:: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2

Стандартное время изготовления производителя:: В наличии

Срок годности:: Один год

Чип от:: Гонконг

RoHS:

Способ оплаты:

Способ отгрузки:

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Clock / Timing - Программируемые таймеры и генерат, Интерфейс - Специализированный, Интерфейс - Фильтры - Активные, Embedded - CPLD (сложные программируемые логически, Embedded - PLD (программируемое логическое устройс, Интерфейс - Модемы - ИС и модули, PMIC - среднеквадратичные преобразователи в постоя and Память - Контроллеры ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBLI-TR electronic components. IS43DR16320D-3DBLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16320D-3DBLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

IS43DR16320D-3DBLI-TR Атрибуты продукта

номер части : IS43DR16320D-3DBLI-TR

производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Серии : -

Состояние детали : Active

Тип памяти : Volatile

Формат памяти : DRAM

Технология : SDRAM - DDR2

Размер памяти : 512Mb (32M x 16)

Тактовая частота : 333MHz

Время цикла записи - слово, страница : 15ns

Время доступа : 450ps

Интерфейс памяти : Parallel

Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.9V

Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)

Тип монтажа : Surface Mount

Пакет / Дело : 84-TFBGA

Комплект поставки устройства : 84-TWBGA (8x12.5)

Последние новости

Silicom MinnowBoard Turbot

Вы также можете быть заинтересованы в

GD25S512MDFIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

English русский