Infineon Technologies - IPB77N06S3-09

KEY Part #: K6409879

[129шт сток]


    номер части:
    IPB77N06S3-09
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - JFETs and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies IPB77N06S3-09 electronic components. IPB77N06S3-09 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB77N06S3-09, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB77N06S3-09 Атрибуты продукта

    номер части : IPB77N06S3-09
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK
    Серии : OptiMOS™
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 77A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 39A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 55µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 103nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5335pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 107W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : PG-TO263-3-2
    Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • PSMN2R2-40PS,127

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.

    • BSS169 E6906

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.

    • BSS169 E6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.

    • BSS159N E6906

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23.

    • BSS159N E6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23.