Infineon Technologies - IPB029N06N3GE8187ATMA1

KEY Part #: K6419016

IPB029N06N3GE8187ATMA1 Цены (доллары США) [87643шт сток]

  • 1 pcs$0.44837
  • 1,000 pcs$0.44614

номер части:
IPB029N06N3GE8187ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB029N06N3GE8187ATMA1 electronic components. IPB029N06N3GE8187ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB029N06N3GE8187ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB029N06N3GE8187ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB029N06N3GE8187ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 118µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 165nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 13000pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 188W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в