Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4148W-E3-08

KEY Part #: K6455574

1N4148W-E3-08 Цены (доллары США) [2174410шт сток]

  • 1 pcs$0.01701
  • 3,000 pcs$0.01624
  • 6,000 pcs$0.01412
  • 15,000 pcs$0.01200
  • 30,000 pcs$0.01130
  • 75,000 pcs$0.01059
  • 150,000 pcs$0.00941

номер части:
1N4148W-E3-08
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/150mA
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4148W-E3-08 electronic components. 1N4148W-E3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4148W-E3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4148W-E3-08 Атрибуты продукта

номер части : 1N4148W-E3-08
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 75V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 150mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.2V @ 100mA
скорость : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) : 4ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 100V
Емкость @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOD-123
Комплект поставки устройства : SOD-123
Рабочая температура - соединение : 150°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C3D04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A

  • CSD01060E-TR

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V

  • C4D10120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A

  • BAT64E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • MMBD1201

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast

  • MMBD914LT1HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A