Infineon Technologies - IPD600N25N3GATMA1

KEY Part #: K6418701

IPD600N25N3GATMA1 Цены (доллары США) [73700шт сток]

  • 1 pcs$0.53054
  • 2,500 pcs$0.46547

номер части:
IPD600N25N3GATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 250V 25A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Модули and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD600N25N3GATMA1 electronic components. IPD600N25N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD600N25N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD600N25N3GATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD600N25N3GATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 250V 25A
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 250V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 25A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2350pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 136W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в