Infineon Technologies - BSC750N10NDGATMA1

KEY Part #: K6525250

BSC750N10NDGATMA1 Цены (доллары США) [148661шт сток]

  • 1 pcs$0.24881

номер части:
BSC750N10NDGATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSC750N10NDGATMA1 electronic components. BSC750N10NDGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC750N10NDGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC750N10NDGATMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSC750N10NDGATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 N-Channel (Dual)
Функция FET : Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 11nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 720pF @ 50V
Мощность - Макс : 26W
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN
Комплект поставки устройства : PG-TDSON-8 Dual

Вы также можете быть заинтересованы в