Infineon Technologies - AUIRFB8407

KEY Part #: K6418129

AUIRFB8407 Цены (доллары США) [52510шт сток]

  • 1 pcs$0.74464
  • 1,000 pcs$0.68315

номер части:
AUIRFB8407
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies AUIRFB8407 electronic components. AUIRFB8407 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFB8407, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFB8407 Атрибуты продукта

номер части : AUIRFB8407
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 195A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7330pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 230W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в