CES521,L3F Цены (доллары США) [3388457шт сток]
- 1 pcs$0.01152
- 8,000 pcs$0.01146
- 16,000 pcs$0.00997
- 24,000 pcs$0.00897
- 56,000 pcs$0.00797
- 200,000 pcs$0.00664
- номер части:
- CES521,L3F
- производитель:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Подробное описание:
- DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC. Schottky Diodes & Rectifiers SM Sig Schotky Diode 30 VR 0.2A 1 Circuit
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - JFETs ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CES521,L3F electronic components. CES521,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CES521,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CES521,L3F Атрибуты продукта
номер части :
CES521,L3F
производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание :
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
30V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
200mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
500mV @ 200mA
скорость :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
30µA @ 30V
Емкость @ Vr, F :
26pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
SC-79, SOD-523
Комплект поставки устройства :
ESC
Рабочая температура - соединение :
125°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAS20WT-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 150V
-
VS-6EWH06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A D-PAK. Rectifiers 6 Amp 600 Volt
-
VS-5EWL06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A D-PAK. Rectifiers 5A 600V 18ns Hyperfast
-
VS-15EWL06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
-
VS-8EWH06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers 8 Amp 600 Volt
-
VS-4EWH02FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
Горячие части
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08