Infineon Technologies - IPC022N03L3X1SA1

KEY Part #: K6421185

IPC022N03L3X1SA1 Цены (доллары США) [382813шт сток]

  • 1 pcs$0.27685

номер части:
IPC022N03L3X1SA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBT - Модули and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPC022N03L3X1SA1 electronic components. IPC022N03L3X1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC022N03L3X1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC022N03L3X1SA1 Атрибуты продукта

номер части : IPC022N03L3X1SA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1A (Tj)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : -
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : Sawn on foil
Пакет / Дело : Die

Вы также можете быть заинтересованы в