Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT15B65M1

KEY Part #: K6423081

AOT15B65M1 Цены (доллары США) [40837шт сток]

  • 1 pcs$0.89055
  • 10 pcs$0.80275
  • 25 pcs$0.71662
  • 100 pcs$0.64500
  • 250 pcs$0.57335
  • 500 pcs$0.50167
  • 1,000 pcs$0.41567

номер части:
AOT15B65M1
производитель:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Подробное описание:
IGBT 650V 15A TO220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - массивы, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT15B65M1 electronic components. AOT15B65M1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AOT15B65M1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AOT15B65M1 Атрибуты продукта

номер части : AOT15B65M1
производитель : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Описание : IGBT 650V 15A TO220
Серии : Alpha IGBT™
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 30A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 45A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 15A
Мощность - Макс : 214W
Энергия переключения : 290µJ (on), 200µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 32nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 13ns/116ns
Условия испытаний : 400V, 15A, 20 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 317ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-3
Комплект поставки устройства : TO-220

Вы также можете быть заинтересованы в