IXYS - DSEI30-06A

KEY Part #: K6445437

DSEI30-06A Цены (доллары США) [26720шт сток]

  • 1 pcs$1.69669
  • 10 pcs$1.51513
  • 25 pcs$1.36335
  • 100 pcs$1.24225
  • 250 pcs$1.06355
  • 500 pcs$0.95431
  • 1,000 pcs$0.80484
  • 2,500 pcs$0.76460

номер части:
DSEI30-06A
производитель:
IXYS
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD. Rectifiers 600V 37A
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Модули, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS DSEI30-06A electronic components. DSEI30-06A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DSEI30-06A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DSEI30-06A Атрибуты продукта

номер части : DSEI30-06A
производитель : IXYS
Описание : DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 37A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.6V @ 37A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-2
Комплект поставки устройства : TO-247AD
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.