Infineon Technologies - AIHD04N60RFATMA1

KEY Part #: K6422393

AIHD04N60RFATMA1 Цены (доллары США) [139363шт сток]

  • 1 pcs$0.26540
  • 2,500 pcs$0.23189

номер части:
AIHD04N60RFATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IC DISCRETE 600V TO252-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies AIHD04N60RFATMA1 electronic components. AIHD04N60RFATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AIHD04N60RFATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AIHD04N60RFATMA1 Атрибуты продукта

номер части : AIHD04N60RFATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IC DISCRETE 600V TO252-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 8A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 12A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 4A
Мощность - Макс : 75W
Энергия переключения : 60µJ (on), 50µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 27nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 12ns/116ns
Условия испытаний : 400V, 4A, 43 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : -
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3-313

Вы также можете быть заинтересованы в