Microsemi Corporation - APT10M11JVRU3

KEY Part #: K6392656

APT10M11JVRU3 Цены (доллары США) [2727шт сток]

  • 1 pcs$15.87729
  • 10 pcs$14.68754
  • 25 pcs$13.49648
  • 100 pcs$12.54380
  • 250 pcs$11.51171

номер части:
APT10M11JVRU3
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT10M11JVRU3 electronic components. APT10M11JVRU3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT10M11JVRU3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT10M11JVRU3 Атрибуты продукта

номер части : APT10M11JVRU3
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 142A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 71A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8600pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 450W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в