Infineon Technologies - BCR166E6327HTSA1

KEY Part #: K6528735

BCR166E6327HTSA1 Цены (доллары США) [3281453шт сток]

  • 1 pcs$0.01320
  • 3,000 pcs$0.01313
  • 6,000 pcs$0.01185
  • 15,000 pcs$0.01030
  • 30,000 pcs$0.00927
  • 75,000 pcs$0.00824
  • 150,000 pcs$0.00687

номер части:
BCR166E6327HTSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Программируемый однопереход, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BCR166E6327HTSA1 electronic components. BCR166E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BCR166E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BCR166E6327HTSA1 Атрибуты продукта

номер части : BCR166E6327HTSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
Серии : -
Состояние детали : Last Time Buy
Тип Транзистора : PNP - Pre-Biased
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 4.7 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 47 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 100nA (ICBO)
Частота - Переход : 160MHz
Мощность - Макс : 200mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства : SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в