Описание :
IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC
Состояние детали :
Obsolete
Управляемая конфигурация :
Low-Side
Тип ворот :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Напряжение - Поставка :
4.5V ~ 35V
Логическое напряжение - VIL, VIH :
0.8V, 2.5V
Ток - Пиковая мощность (источник, раковина) :
4A, 4A
Высокое боковое напряжение - Макс (Bootstrap) :
-
Время подъема / падения (тип.) :
16ns, 13ns
Рабочая Температура :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект поставки устройства :
8-SOIC