Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. 71V416S10YG8

IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V416S10YG8

KEY Part #: K940794

71V416S10YG8 Цены (доллары США) [32089шт сток]

  • 1 pcs$1.43514
  • 500 pcs$1.42800
номер части:
71V416S10YG8
производитель:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Подробное описание:
IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ. SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: объем памяти, Часы / Синхронизация - Батареи для ИС, PMIC - Регуляторы напряжения - Линейный + Переключ, Embedded - микроконтроллеры, Часы / Время - Линии задержки, PMIC - Контроллеры источников питания, мониторы, Интерфейс - Терминаторы Сигнала and Clock / Timing - Тактовые генераторы, ФАПЧ, синтез ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S10YG8 electronic components. 71V416S10YG8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V416S10YG8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V416S10YG8 Атрибуты продукта

номер части : 71V416S10YG8
производитель : IDT, Integrated Device Technology Inc
Описание : IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : SRAM
Технология : SRAM - Asynchronous
Размер памяти : 4Mb (256K x 16)
Тактовая частота : -
Время цикла записи - слово, страница : 10ns
Время доступа : 10ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 3V ~ 3.6V
Рабочая Температура : 0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Комплект поставки устройства : 44-SOJ
Вы также можете быть заинтересованы в
  • 25AA1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • DS24B33S+

    Maxim Integrated

    IC EEPROM 4K 1WIRE 8SO. EEPROM 1-Wire 4kbit EEPROM

  • AT28BV64B-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS IND TEMP GRN PKG

  • AT28C64B-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 64K 8K x 8 150 ns 4.5V-5.5V

  • AS6C62256A-70PCN

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 256K, 2.7-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM

Горячие части