GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25S512MDBIGY

KEY Part #: K938088

GD25S512MDBIGY Цены (доллары США) [19116шт сток]

  • 1 pcs$2.39712

номер части:
GD25S512MDBIGY
производитель:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Подробное описание:
NOR FLASH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Логика - Компараторы, Embedded - CPLD (сложные программируемые логически, PMIC - среднеквадратичные преобразователи в постоя, Интерфейс - Телеком, Память - Конфигурация Proms для FPGA, Логика - Вьетнамки, Линейный - Компараторы and Часы / Сроки - для конкретного приложения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDBIGY electronic components. GD25S512MDBIGY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GD25S512MDBIGY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GD25S512MDBIGY Атрибуты продукта

номер части : GD25S512MDBIGY
производитель : GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Описание : NOR FLASH
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Non-Volatile
Формат памяти : FLASH
Технология : FLASH - NOR
Размер памяти : 512Mb (64M x 8)
Тактовая частота : 104MHz
Время цикла записи - слово, страница : 50µs, 2.4ms
Время доступа : -
Интерфейс памяти : SPI - Quad I/O
Напряжение - Поставка : 2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 24-TBGA
Комплект поставки устройства : 24-TFBGA (6x8)
Вы также можете быть заинтересованы в
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor