Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. W987D6HBGX6E TR

Winbond Electronics - W987D6HBGX6E TR

KEY Part #: K942565

W987D6HBGX6E TR Цены (доллары США) [49022шт сток]

  • 1 pcs$0.99613
  • 2,500 pcs$0.99118
номер части:
W987D6HBGX6E TR
производитель:
Winbond Electronics
Подробное описание:
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz T&R
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Специализированные микросхемы, Сбор данных - аналоговый интерфейс (AFE), PMIC - Регуляторы напряжения - Линейный + Переключ, Встроенные - ПЛИС (программируемый полевой вентиль, Сбор данных - Контроллеры с сенсорным экраном, объем памяти, PMIC - ИЛИ контроллеры, идеальные диоды and Clock / Timing - Программируемые таймеры и генерат ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Winbond Electronics W987D6HBGX6E TR electronic components. W987D6HBGX6E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W987D6HBGX6E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W987D6HBGX6E TR Атрибуты продукта

номер части : W987D6HBGX6E TR
производитель : Winbond Electronics
Описание : IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile LPSDR
Размер памяти : 128Mb (8M x 16)
Тактовая частота : 166MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 5.4ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура : -25°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 54-TFBGA
Комплект поставки устройства : 54-VFBGA (8x9)

Последние новости

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Вы также можете быть заинтересованы в
  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP032A-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, T&R

  • 25LC512-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 512k 64KX8 2.5V SER EE EXT

  • 602-10001

    Parallax Inc.

    IC EEPROM 512K I2C 1MHZ.

  • W25Q128FWSIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash spiFlash, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

Горячие части