ON Semiconductor - FDMS3606AS

KEY Part #: K6523029

FDMS3606AS Цены (доллары США) [80739шт сток]

  • 1 pcs$0.48671
  • 3,000 pcs$0.48429

номер части:
FDMS3606AS
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDMS3606AS electronic components. FDMS3606AS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS3606AS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS3606AS Атрибуты продукта

номер части : FDMS3606AS
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 13A, 27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 29nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1695pF @ 15V
Мощность - Макс : 1W
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN
Комплект поставки устройства : Power56

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.