ON Semiconductor - FQB4N20LTM

KEY Part #: K6413602

[13044шт сток]


    номер части:
    FQB4N20LTM
    производитель:
    ON Semiconductor
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - IGBT - Single ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in ON Semiconductor FQB4N20LTM electronic components. FQB4N20LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB4N20LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQB4N20LTM Атрибуты продукта

    номер части : FQB4N20LTM
    производитель : ON Semiconductor
    Описание : MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK
    Серии : QFET®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.8A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 5.2nC @ 5V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 310pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.13W (Ta), 45W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
    Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • IRF5804TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5805TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • ZVNL110ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVN4306ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4306ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.