ON Semiconductor - FDB0260N1007L

KEY Part #: K6392724

FDB0260N1007L Цены (доллары США) [23921шт сток]

  • 1 pcs$1.73154
  • 800 pcs$1.72292

номер части:
FDB0260N1007L
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ, Модули питания драйверов and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDB0260N1007L electronic components. FDB0260N1007L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB0260N1007L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB0260N1007L Атрибуты продукта

номер части : FDB0260N1007L
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 200A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 118nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8545pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263)
Пакет / Дело : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Вы также можете быть заинтересованы в