GeneSiC Semiconductor - GB20SLT12-247

KEY Part #: K6440911

GB20SLT12-247 Цены (доллары США) [4908шт сток]

  • 1 pcs$12.16626
  • 10 pcs$11.25402
  • 25 pcs$10.34141
  • 100 pcs$9.61134
  • 250 pcs$8.82055
  • 500 pcs$8.39472

номер части:
GB20SLT12-247
производитель:
GeneSiC Semiconductor
Подробное описание:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247 electronic components. GB20SLT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB20SLT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB20SLT12-247 Атрибуты продукта

номер части : GB20SLT12-247
производитель : GeneSiC Semiconductor
Описание : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247AC
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Диодный Тип : Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 20A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 2V @ 20A
скорость : No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 0ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 200µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F : 968pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-2
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C
Вы также можете быть заинтересованы в
  • RURD420S9A_T

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

  • VS-20ETF10PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.

  • UHB10FT-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.

  • STTH8S06FP

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP. Rectifiers ULT FAST HI VLT RECT TURBO 2

  • FR207TA

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15.

  • BYV10X-600PQ

    WeEn Semiconductors

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2. Rectifiers Ultrafast Pwr Diode