ON Semiconductor - NGTB50N65FL2WG

KEY Part #: K6421783

NGTB50N65FL2WG Цены (доллары США) [16156шт сток]

  • 1 pcs$2.55082
  • 150 pcs$2.21073

номер части:
NGTB50N65FL2WG
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
IGBT 600V 50A TO247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NGTB50N65FL2WG electronic components. NGTB50N65FL2WG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTB50N65FL2WG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTB50N65FL2WG Атрибуты продукта

номер части : NGTB50N65FL2WG
производитель : ON Semiconductor
Описание : IGBT 600V 50A TO247
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 200A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 50A
Мощность - Макс : 417W
Энергия переключения : 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 220nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 100ns/237ns
Условия испытаний : 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 94ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в