1N4005G-T Цены (доллары США) [1771238шт сток]
- 1 pcs$0.02536
- 5,000 pcs$0.02523
- 10,000 pcs$0.02145
- 25,000 pcs$0.02019
- 50,000 pcs$0.01892
- номер части:
- 1N4005G-T
- производитель:
- Diodes Incorporated
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO41. Rectifiers 1.0A 600V
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы специального назначения ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N4005G-T electronic components. 1N4005G-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4005G-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4005G-T Атрибуты продукта
номер части :
1N4005G-T
производитель :
Diodes Incorporated
Описание :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1V @ 1A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
2µs
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 600V
Емкость @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
DO-204AL, DO-41, Axial
Комплект поставки устройства :
DO-41
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
-
VS-30EPH03PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC. Rectifiers 300 Volt 30 Amp
Горячие части
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A