IXYS - IXTH20N60

KEY Part #: K6413343

IXTH20N60 Цены (доллары США) [9197шт сток]

  • 1 pcs$5.17902
  • 30 pcs$5.15325

номер части:
IXTH20N60
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTH20N60 electronic components. IXTH20N60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH20N60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH20N60 Атрибуты продукта

номер части : IXTH20N60
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Серии : MegaMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4500pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247 (IXTH)
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRF5802TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • 2N7000RLRMG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • BTS282Z E3180A

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • FQD4P25TF

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.

  • FQD4N25TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.

  • IRLR8113TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.