Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретные полупроводниковые изделия
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис
  5. APTC60HM70T1G

Microsemi Corporation - APTC60HM70T1G

KEY Part #: K6522629

APTC60HM70T1G Цены (доллары США) [2098шт сток]

  • 1 pcs$20.63798
  • 100 pcs$20.08387
номер части:
APTC60HM70T1G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTC60HM70T1G electronic components. APTC60HM70T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC60HM70T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC60HM70T1G Атрибуты продукта

номер части : APTC60HM70T1G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Функция FET : Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 259nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7000pF @ 25V
Мощность - Макс : 250W
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP1
Комплект поставки устройства : SP1

Последние новости

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.

  • FDG6320C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 25V SC70-6.

Горячие части