GeneSiC Semiconductor - 1N3211

KEY Part #: K6425062

1N3211 Цены (доллары США) [12474шт сток]

  • 1 pcs$3.30352
  • 100 pcs$2.38635

номер части:
1N3211
производитель:
GeneSiC Semiconductor
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 300V 15A DO5. Rectifiers 300V 15A Std. Recovery
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3211 electronic components. 1N3211 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3211, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3211 Атрибуты продукта

номер части : 1N3211
производитель : GeneSiC Semiconductor
Описание : DIODE GEN PURP 300V 15A DO5
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 300V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 15A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.5V @ 15A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 50V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Chassis, Stud Mount
Пакет / Дело : DO-203AB, DO-5, Stud
Комплект поставки устройства : DO-5
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C
Вы также можете быть заинтересованы в
  • FGD3N60UNDF

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 60W DPAK.

  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

  • VS-20ETS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.