STMicroelectronics - STP80N6F6

KEY Part #: K6399017

STP80N6F6 Цены (доллары США) [49221шт сток]

  • 1 pcs$0.75676
  • 10 pcs$0.67021
  • 100 pcs$0.52961
  • 500 pcs$0.41070
  • 1,000 pcs$0.30671

номер части:
STP80N6F6
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Модули питания драйверов, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STP80N6F6 electronic components. STP80N6F6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP80N6F6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP80N6F6 Атрибуты продукта

номер части : STP80N6F6
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 60V TO-220
Серии : Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 110A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7480pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 120W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • TK17A80W,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS.

  • IRFIBE20GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP.