71V2546S100BGI8 Цены (доллары США) [16862шт сток]
- 1 pcs$2.73100
- 1,000 pcs$2.71741
- номер части:
- 71V2546S100BGI8
- производитель:
- IDT, Integrated Device Technology Inc
- Подробное описание:
- IC SRAM 4.5M PARALLEL 100MHZ. SRAM 4MEG ZBT W/ 2.5V I/O
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Логика - Специальность Логика, Встроенный - Микроконтроллеры - Специфично для при, Интерфейс - сенсор, емкостный сенсорный, Logic - Буферы, Драйверы, Приемники, Приемопередат, Embedded - CPLD (сложные программируемые логически, Линейный - Усилители - Аудио, Логика - FIFOs Memory and PMIC - Управление питанием - Специализированный ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2546S100BGI8 electronic components. 71V2546S100BGI8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V2546S100BGI8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
71V2546S100BGI8 Атрибуты продукта
номер части :
71V2546S100BGI8
производитель :
IDT, Integrated Device Technology Inc
Описание :
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100MHZ
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Тип памяти :
Volatile
Формат памяти :
SRAM
Технология :
SRAM - Synchronous ZBT
Размер памяти :
4.5Mb (128K x 36)
Тактовая частота :
100MHz
Время цикла записи - слово, страница :
-
Время доступа :
5ns
Интерфейс памяти :
Parallel
Напряжение - Поставка :
3.135V ~ 3.465V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
119-BGA
Комплект поставки устройства :
-
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
71321SA55JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT
-
Горячие части
- AT24C1024W-10SU-2.7-T
- MT28F800B5SG-8 T
- AT49F001AN-55JI
- AT25320A-10PI-1.8
- CY7C056V-15AC
- AT93C56W-10SI
- AT27LV520-90SI
- AT24C64-10PC-1.8
- NM93C06LM8
- NM24C04EM8
- 7006L25JI8
- 24AA08H-I/S16K
- S99FL132KMM43
- S25FL164K0XMFV011
- S25FL164K0XMFIS11
- MT47H32M16U67A3WC1
- MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR
- IDT71256SA15PZ
- 7006L20J
- MT44K16M36RB-093E IT:A TR
- MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR
- AT45DB642D-CNU
- TC58NVG3S0FTA00
- M25P16-VMC6TG TR
- CY7C1461SV33-133AXI
- CY7C09289V-9AC
- RC48F4400P0VB0EJ
- CY7C1515KV18-333BZI
- CY7C0852AV-133BBC
- CAT24C16WI-G
- IDT71V016SA20PHI
- MT46V128M4FN-5B:D TR
- AT27C020-55TU
- CY7C1412BV18-200BZXC
- M95320-MN3/B
- AT26DF161A-SSU
- IS61C1024AL-12TI-TR
- IS42S16400D-7BLI-TR
- S25FL256SAGNFV000
- S25FL256SDSMFBG03