IXYS - IXFK80N65X2

KEY Part #: K6395290

IXFK80N65X2 Цены (доллары США) [6598шт сток]

  • 1 pcs$6.90398
  • 25 pcs$6.86963

номер части:
IXFK80N65X2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 80A TO-264.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFK80N65X2 electronic components. IXFK80N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFK80N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK80N65X2 Атрибуты продукта

номер части : IXFK80N65X2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 143nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8245pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 890W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-264
Пакет / Дело : TO-264-3, TO-264AA