Microsemi Corporation - JANS1N5806US

KEY Part #: K6446425

JANS1N5806US Цены (доллары США) [1583шт сток]

  • 1 pcs$30.63340
  • 10 pcs$28.83301
  • 25 pcs$27.03078

номер части:
JANS1N5806US
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation JANS1N5806US electronic components. JANS1N5806US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N5806US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANS1N5806US Атрибуты продукта

номер части : JANS1N5806US
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
Серии : Military, MIL-PRF-19500/477
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 150V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 875mV @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 25ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 150V
Емкость @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SQ-MELF, A
Комплект поставки устройства : D-5A
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MMBD1202

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • MMBD4148-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • VS-MBRD340PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK.

  • VS-50WQ03FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ03FNPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.

  • EGL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.