Alliance Memory, Inc. - AS4C16M32MSA-6BIN

KEY Part #: K937513

AS4C16M32MSA-6BIN Цены (доллары США) [17157шт сток]

  • 1 pcs$2.67064

номер части:
AS4C16M32MSA-6BIN
производитель:
Alliance Memory, Inc.
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA. DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Часы / Синхронизация - Батареи для ИС, Embedded - система на чипе (SoC), PMIC - лазерные драйверы, Логика - Защелки, PMIC - Регуляторы напряжения - DC DC Импульсные ре, Линейный - Усилители специального назначения, объем памяти and PMIC - Освещение, Балласт Контроллеры ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MSA-6BIN electronic components. AS4C16M32MSA-6BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C16M32MSA-6BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M32MSA-6BIN Атрибуты продукта

номер части : AS4C16M32MSA-6BIN
производитель : Alliance Memory, Inc.
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile SDRAM
Размер памяти : 512Mb (16M x 32)
Тактовая частота : 166MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 5.4ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 90-VFBGA
Комплект поставки устройства : 90-FBGA (8x13)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor

  • S29GL512T12DHVV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor