Micron Technology Inc. - MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR

KEY Part #: K937530

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR Цены (доллары США) [17173шт сток]

  • 1 pcs$2.69811
  • 1,000 pcs$2.68469

номер части:
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR
производитель:
Micron Technology Inc.
Подробное описание:
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 4G 512MX8 FBGA
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Embedded - DSP (цифровые сигнальные процессоры), Embedded - Микропроцессоры, Интерфейс - кодеры, декодеры, преобразователи, PMIC - Регуляторы напряжения - Импульсные контролл, Logic - Буферы, Драйверы, Приемники, Приемопередат, Логика - Ворота и Инверторы, PMIC - лазерные драйверы and Сбор данных - Контроллеры с сенсорным экраном ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR electronic components. MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR Атрибуты продукта

номер части : MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR
производитель : Micron Technology Inc.
Описание : IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Non-Volatile
Формат памяти : FLASH
Технология : FLASH - NAND
Размер памяти : 4Gb (512M x 8)
Тактовая частота : -
Время цикла записи - слово, страница : -
Время доступа : -
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 63-VFBGA
Комплект поставки устройства : 63-VFBGA

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor