EPC - EPC2022

KEY Part #: K6407444

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Программируемый однопереход ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in EPC EPC2022 electronic components. EPC2022 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2022, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

номер части : EPC2022

производитель : EPC

Описание : GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE

Серии : eGaN®

Состояние детали : Active

Тип FET : N-Channel

Технология : GaNFET (Gallium Nitride)

Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V

Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Ta)

Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 12mA

Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -

Vgs (Макс) : +6V, -4V

Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1500pF @ 50V

Функция FET : -

Рассеиваемая Мощность (Макс) : -

Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа : Surface Mount

Комплект поставки устройства : Die

Пакет / Дело : Die

Вы также можете быть заинтересованы в

PN3685

ON Semiconductor

MOSFET N-CH TO-92.
ZVN0124A

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.
ZVNL110ASTZ

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.
IRFN214BTA_FP001

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92.
2SK3462(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD.
2SK3342(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD.

Горячие части