Vishay Semiconductor Diodes Division - ES07B-GS18

KEY Part #: K6454600

ES07B-GS18 Цены (доллары США) [921392шт сток]

  • 1 pcs$0.04236
  • 10,000 pcs$0.04215
  • 30,000 pcs$0.03876

номер части:
ES07B-GS18
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES07B-GS18 electronic components. ES07B-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES07B-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES07B-GS18 Атрибуты продукта

номер части : ES07B-GS18
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1.2A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 980mV @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 25ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 100V
Емкость @ Vr, F : 4pF @ 4V, 50MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-219AB
Комплект поставки устройства : DO-219AB (SMF)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C4D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A

  • 1N4150W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SE20FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM

  • BYM10-200-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated