Diodes Incorporated - SBRT3M60P1-7

KEY Part #: K6435239

SBRT3M60P1-7 Цены (доллары США) [841171шт сток]

  • 1 pcs$0.04397
  • 3,000 pcs$0.03994
  • 6,000 pcs$0.03772
  • 15,000 pcs$0.03439
  • 30,000 pcs$0.03217

номер части:
SBRT3M60P1-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
DIODE SBR 60V 3A POWERDI123. Schottky Diodes & Rectifiers 3A SBR 60Vrrm 0.59Vf 0.1mA
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - ТРИАКС, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated SBRT3M60P1-7 electronic components. SBRT3M60P1-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBRT3M60P1-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBRT3M60P1-7 Атрибуты продукта

номер части : SBRT3M60P1-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : DIODE SBR 60V 3A POWERDI123
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Super Barrier
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 60V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 590mV @ 3A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 60V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : POWERDI®123
Комплект поставки устройства : PowerDI™ 123
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CRG03(TE85L,Q,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 400V 1A SFLAT.

  • 1SS401(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70. Schottky Diodes & Rectifiers 0.3A 20V 0.16Vf Small Sig Diode

  • SR202HA0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 20V Schottky Rectifier

  • FR207G A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 2A DO204AC. Rectifiers 500ns 2A 1000V Fast Recov Rectifier

  • FR154G A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC. Rectifiers 150ns 1.5A 400V Fs Recov Rectifier

  • 1N5395GHA0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC. Rectifiers 1.5A 400V Standard Recov Rectifier