STMicroelectronics - STGWA50M65DF2

KEY Part #: K6422965

STGWA50M65DF2 Цены (доллары США) [22698шт сток]

  • 1 pcs$1.81568
  • 10 pcs$1.63015
  • 100 pcs$1.33545
  • 500 pcs$1.07855
  • 1,000 pcs$0.90962

номер части:
STGWA50M65DF2
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STGWA50M65DF2 electronic components. STGWA50M65DF2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGWA50M65DF2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGWA50M65DF2 Атрибуты продукта

номер части : STGWA50M65DF2
производитель : STMicroelectronics
Описание : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Серии : M
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 80A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 150A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Мощность - Макс : 375W
Энергия переключения : 880µJ (on), 1.57mJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 150nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 42ns/130ns
Условия испытаний : 400V, 50A, 6.8 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 162ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : TO-247 Long Leads

Вы также можете быть заинтересованы в