ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS64WV12816DBLL-12CTLA3

KEY Part #: K937592

IS64WV12816DBLL-12CTLA3 Цены (доллары США) [17407шт сток]

  • 1 pcs$2.64555
  • 135 pcs$2.63238

номер части:
IS64WV12816DBLL-12CTLA3
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II. SRAM 2M (128Kx16) 12ns Async SRAM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Embedded - микроконтроллеры, PMIC - Регуляторы напряжения - DC DC Импульсные ре, Clock / Timing - Тактовые генераторы, ФАПЧ, синтез, Логика - Сигнальные переключатели, мультиплексоры,, Интерфейс - Буферы Сигналов, Повторители, Сплиттер, Часы / Время - Часы реального времени, Интерфейс - Контроллеры and PMIC - Регуляторы напряжения - Импульсные контролл ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816DBLL-12CTLA3 electronic components. IS64WV12816DBLL-12CTLA3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS64WV12816DBLL-12CTLA3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS64WV12816DBLL-12CTLA3 Атрибуты продукта

номер части : IS64WV12816DBLL-12CTLA3
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : SRAM
Технология : SRAM - Asynchronous
Размер памяти : 2Mb (128K x 16)
Тактовая частота : -
Время цикла записи - слово, страница : 12ns
Время доступа : 12ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 2.4V ~ 3.6V
Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Комплект поставки устройства : 44-TSOP II

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в