IXYS - IXFH26N50Q

KEY Part #: K6396541

IXFH26N50Q Цены (доллары США) [318шт сток]

  • 1 pcs$5.05483
  • 10 pcs$4.54979
  • 100 pcs$3.74097
  • 500 pcs$3.13434

номер части:
IXFH26N50Q
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - JFETs, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы специального назначения and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH26N50Q electronic components. IXFH26N50Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH26N50Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH26N50Q Атрибуты продукта

номер части : IXFH26N50Q
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 26A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3900pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AD (IXFH)
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.