Vishay Siliconix - IRF640STRRPBF

KEY Part #: K6392958

IRF640STRRPBF Цены (доллары США) [50932шт сток]

  • 1 pcs$0.76770
  • 800 pcs$0.72593

номер части:
IRF640STRRPBF
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - JFETs and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix IRF640STRRPBF electronic components. IRF640STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF640STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF640STRRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRF640STRRPBF
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1300pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (D²Pak)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в