Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR

Micron Technology Inc. - MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR

KEY Part #: K914201

[12088шт сток]

    номер части:
    MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR
    производитель:
    Micron Technology Inc.
    Подробное описание:
    IC FLASH 128G PARALLEL 267MHZ. NAND Flash MLC 128G 16GX8 VBGA
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: PMIC - Учет энергии, PMIC - выключатели распределения питания, драйверы, Интерфейс - Сериализаторы, Десериализаторы, Логика - Компараторы, Интерфейс - Модемы - ИС и модули, Интерфейс - Модули, PMIC - зарядные устройства and PMIC - Регуляторы напряжения - Импульсные контролл ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR electronic components. MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR Атрибуты продукта

    номер части : MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR
    производитель : Micron Technology Inc.
    Описание : IC FLASH 128G PARALLEL 267MHZ
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип памяти : Non-Volatile
    Формат памяти : FLASH
    Технология : FLASH - NAND
    Размер памяти : 128Gb (16G x 8)
    Тактовая частота : 267MHz
    Время цикла записи - слово, страница : -
    Время доступа : -
    Интерфейс памяти : Parallel
    Напряжение - Поставка : 2.7V ~ 3.6V
    Рабочая Температура : 0°C ~ 70°C (TA)
    Тип монтажа : -
    Пакет / Дело : -
    Комплект поставки устройства : -

    Последние новости

    Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
    Micron NAND Flash
    Micron 9300 NVMe™ SSD
    Micron SLC NAND Flash Memory
    Micron NAND-Based MCP
    Micron 9200 NVMe™ SSDs
    Micron LPDRAM
    Вы также можете быть заинтересованы в
    • IS61LPD51236A-200TQI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v

    • IS61LPD102418A-200TQI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb 1Mbx18 200MHz Sync SRAM 3.3v

    • IS62WV102416ALL-35TLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP. SRAM 16M (1Mx16) 35ns Async SRAM

    • IS43TR16512AL-15HBL

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA. DRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1333MT/s,512Mx16

    • IS43TR16512A-125KBLI-TR

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA. DRAM DDR3,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16, IT

    • MR4A16BYS35R

      Everspin Technologies Inc.

      IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2. NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM

    Горячие части