V10WM100-M3/I Цены (доллары США) [181524шт сток]
- 1 pcs$0.20478
- 5,000 pcs$0.20376
- номер части:
- V10WM100-M3/I
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE SCHOTTKY 10A 100V DPAK.
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division V10WM100-M3/I electronic components. V10WM100-M3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for V10WM100-M3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
V10WM100-M3/I Атрибуты продукта
номер части :
V10WM100-M3/I
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE SCHOTTKY 10A 100V DPAK
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
10A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
750mV @ 10A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
700µA @ 100V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства :
TO-252, (D-Pak)
Рабочая температура - соединение :
-40°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
RURD460S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V
-
-
-
RURD4120S9A-F085
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 1.2KV 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 1200V Ultrafast
-
FFSD10120A
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO252. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode
Горячие части
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G