Vishay Siliconix - TP0610KL-TR1-E3

KEY Part #: K6408558

[586шт сток]


    номер части:
    TP0610KL-TR1-E3
    производитель:
    Vishay Siliconix
    Подробное описание:
    MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ and Тиристоры - СКВ - Модули ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Vishay Siliconix TP0610KL-TR1-E3 electronic components. TP0610KL-TR1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TP0610KL-TR1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TP0610KL-TR1-E3 Атрибуты продукта

    номер части : TP0610KL-TR1-E3
    производитель : Vishay Siliconix
    Описание : MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3
    Серии : TrenchFET®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : P-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 270mA (Ta)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 3nC @ 15V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 800mW (Ta)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : TO-226AA
    Пакет / Дело : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

    Вы также можете быть заинтересованы в