Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA16TB120-N3

KEY Part #: K6446343

VS-HFA16TB120-N3 Цены (доллары США) [1799шт сток]

  • 1,000 pcs$1.85340

номер части:
VS-HFA16TB120-N3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO220AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - JFETs and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA16TB120-N3 electronic components. VS-HFA16TB120-N3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA16TB120-N3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA16TB120-N3 Атрибуты продукта

номер части : VS-HFA16TB120-N3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO220AC
Серии : HEXFRED®
Состояние детали : Obsolete
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 16A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 3V @ 16A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 135ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 20µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2
Комплект поставки устройства : TO-220AC
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MMBD1202

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • MMBD4148-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • P600M-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 1000 Volt 400 Amp IFSM

  • P600J-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 600 Volt 400 Amp IFSM

  • EGL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • EGL34FHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213.