STMicroelectronics - STGW60H65DFB

KEY Part #: K6422324

STGW60H65DFB Цены (доллары США) [17778шт сток]

  • 1 pcs$2.31808
  • 10 pcs$2.08143
  • 100 pcs$1.70542
  • 500 pcs$1.45179
  • 1,000 pcs$1.22440

номер части:
STGW60H65DFB
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
IGBT 650V 80A 375W TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STGW60H65DFB electronic components. STGW60H65DFB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGW60H65DFB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGW60H65DFB Атрибуты продукта

номер части : STGW60H65DFB
производитель : STMicroelectronics
Описание : IGBT 650V 80A 375W TO-247
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 80A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 240A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 60A
Мощность - Макс : 375W
Энергия переключения : 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 306nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 51ns/160ns
Условия испытаний : 400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 60ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : TO-247