Vishay Siliconix - SI7949DP-T1-E3

KEY Part #: K6524923

SI7949DP-T1-E3 Цены (доллары США) [111328шт сток]

  • 1 pcs$0.77767
  • 10 pcs$0.70283
  • 100 pcs$0.56489
  • 500 pcs$0.43936
  • 1,000 pcs$0.34437

номер части:
SI7949DP-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI7949DP-T1-E3 electronic components. SI7949DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7949DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7949DP-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI7949DP-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 P-Channel (Dual)
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 64 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 40nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Мощность - Макс : 1.5W
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8 Dual
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8 Dual

Вы также можете быть заинтересованы в