ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS45S16160J-6TLA1 -TR

KEY Part #: K939418

IS45S16160J-6TLA1 -TR Цены (доллары США) [25075шт сток]

  • 1 pcs$2.04663
  • 1,500 pcs$2.03645

номер части:
IS45S16160J-6TLA1 -TR
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Интерфейс - расширители ввода / вывода, Интерфейс - Интерфейс датчика и детектора, Линейный - Усилители специального назначения, PMIC - Регуляторы напряжения - Линейные регуляторы, PMIC - Контроллеры источников питания, мониторы, Embedded - DSP (цифровые сигнальные процессоры), Специализированные микросхемы and PMIC - зарядные устройства ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-6TLA1 -TR electronic components. IS45S16160J-6TLA1 -TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS45S16160J-6TLA1 -TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS45S16160J-6TLA1 -TR Атрибуты продукта

номер части : IS45S16160J-6TLA1 -TR
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM
Размер памяти : 256Mb (16M x 16)
Тактовая частота : 166MHz
Время цикла записи - слово, страница : -
Время доступа : 5.4ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 3V ~ 3.6V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Комплект поставки устройства : 54-TSOP II

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.