STMicroelectronics - STD120N4LF6

KEY Part #: K6418505

STD120N4LF6 Цены (доллары США) [66291шт сток]

  • 1 pcs$0.59278
  • 2,500 pcs$0.58983

номер части:
STD120N4LF6
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STD120N4LF6 electronic components. STD120N4LF6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD120N4LF6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD120N4LF6 Атрибуты продукта

номер части : STD120N4LF6
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Серии : Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4300pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 110W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DPAK
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.

  • TK6A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS.