ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R86400F-5BL-TR

KEY Part #: K938086

IS43R86400F-5BL-TR Цены (доллары США) [19114шт сток]

  • 1 pcs$2.39736

номер части:
IS43R86400F-5BL-TR
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ. DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Часы / Время - Часы реального времени, Logic - Буферы, Драйверы, Приемники, Приемопередат, PMIC - лазерные драйверы, Embedded - PLD (программируемое логическое устройс, Интерфейс - Буферы Сигналов, Повторители, Сплиттер, PMIC - Управление батареями, PMIC - регуляторы напряжения - линейный and Интерфейс - UART (универсальный асинхронный приемн ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5BL-TR electronic components. IS43R86400F-5BL-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R86400F-5BL-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R86400F-5BL-TR Атрибуты продукта

номер части : IS43R86400F-5BL-TR
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR
Размер памяти : 512Mb (64M x 8)
Тактовая частота : 200MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 700ps
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 2.3V ~ 2.7V
Рабочая Температура : 0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 60-TFBGA
Комплект поставки устройства : 60-TFBGA (13x8)

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor

  • S34MS01G104BHV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.

  • S34MS01G100BHI900

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.