Renesas Electronics America - RJU4351TDPP-EJ#T2

KEY Part #: K6442360

[3160шт сток]


    номер части:
    RJU4351TDPP-EJ#T2
    производитель:
    Renesas Electronics America
    Подробное описание:
    DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/10A/25ns Trr/TO-220FP-2L
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы специального назначения and Модули питания драйверов ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Renesas Electronics America RJU4351TDPP-EJ#T2 electronic components. RJU4351TDPP-EJ#T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJU4351TDPP-EJ#T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJU4351TDPP-EJ#T2 Атрибуты продукта

    номер части : RJU4351TDPP-EJ#T2
    производитель : Renesas Electronics America
    Описание : DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L
    Серии : -
    Состояние детали : Last Time Buy
    Диодный Тип : Standard
    Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 430V
    Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 10A
    Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.9V @ 10A
    скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Обратное время восстановления (trr) : 25ns
    Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 430V
    Емкость @ Vr, F : -
    Тип монтажа : Through Hole
    Пакет / Дело : TO-220-2 Full Pack
    Комплект поставки устройства : TO-220FP-2L
    Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • CMDD6001 BK

      Central Semiconductor Corp

      DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA